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プラズマ研磨 - イノベーティブで実証済みのハイスペック SiC ウェハ前処理

世界の主要経済国は、緩やかなネットゼロ目標に向かって突き進んでいます。米国では、2035年にカリフォルニア州でガソリン車に代表される内燃機関の使用が禁止される予定であり、EV（電気自動車）の大量導入が加速さ れることになると予想されています。また中国では、すでに新車登録台数の4分の1がEVとなっています。したがって、主要経済国が経済成長を続けながら化石燃料への依存を段階的に減らしていくのに苦労しているとはいえ、E-モビリティ、持続可能エネルギー、低炭素産業における新興技術や素材には、すでに大きなチャンスが存在していることは明らかです。

E-モビリティや、太陽光発電、その他の産業市場などの他のセクターにおいて、炭化ケイ素（4H-SiC）コンポーネントの重要性が高まっているため、ワイドバンドギャップ半導体のサプライチェーンは、材料の特性と性能に合わせてカスタマイズされた、エキサイティングな新技術と新プロセス開発を促しています。その目的は、このような高成長市場における性能や 信頼性、さらには量的なニーズを満たすことです。シリコンに比べ、高効率、高出力、高速スイッチング、小型化に後押しされ、SiC業界は、性能向上とシステムレベルのコスト削減に応じて急成長を遂げています。400V以上で動作する電源システムを設計する際、SiCベースのモジュールが非常に優れた選択肢となるケースが増えています。これらの要因を踏まえ、SiCデバイス市場の成長予測は年平均成長率34%、市場規模は2021年の～10億ドルから2027年には～60億ドルに拡大すると予想されています（Yole 2022）。

Author

Grant Baldwin
Technical Marketing Manager, Oxford Instruments Plasma Technology